改良された結晶特性を有するエピタキシャル半導体材料の成長方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥山尚一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001511249
Publication number (International publication number)：2003505317
Application date： May. 04, 2000
Publication date： Feb. 12, 2003
Summary：

【要約】結晶欠陥が減少したエピタキシャル半導体層を成長させる方法が提供される。本方法は、半導体基板の表面上または表面内にある欠陥を治癒するために、比較的に高い温度と比較的に低いソースガスフローの条件下でその半導体基板上に第一のエピタキシャル半導体層を成長させる工程を含む。次の工程では、第二のエピタキシャル半導体層が、比較的に低い温度と比較的に高いソースガスフローの条件下で第一のエピタキシャル半導体層上に成長させられる。第一のエピタキシャル層は、半導体基板表面内の欠陥が第二のエピタキシャル層内に伝播することを防止することによって低欠陥シード層としての役割を果たす。また選択的に、第一のエピタキシャル層の有効性を高めるために、その第一のエピタキシャル層が成長する工程の一部の間に塩化水素エッチングが実行されうる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にエピタキシャル半導体層を形成する方法であって、表面を有する半導体基板を提供するステップと、該表面上に半導体材料の第一のエピタキシャル層を第一の成長温度と第一の成長速度とで成長させて前記表面内の結晶欠陥を覆うステップと、前記第一のエピタキシャル層上に半導体材料の第二のエピタキシャル層を、前記第一の成長温度よりも低い第二の成長温度と、前記第一の成長速度よりも高い第二の成長速度とで成長させるステップとを含んでおり、前記第一のエピタキシャル層は、前記表面内の前記結晶欠陥の少なくとも一部が前記第二のエピタキシャル層内へと伝播するのを防止することを特徴とする方法。

IPC (4)：

C30B 25/16 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504 , H01L 21/205

FI (4)：

C30B 25/16 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504 G , H01L 21/205

F-Term (35)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB04 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TC13 , 4G077TJ03 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA15 , 5F045AA01 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045DA51 , 5F045HA03 , 5F045HA13 , 5F045HA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-065123
特開平2-065123

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