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J-GLOBAL ID：200903013092062481

Cu/W基材のめっき処理方法

Inventor： 宮崎 毅
Applicant, Patent owner： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995299842
Publication number (International publication number)：1997143756
Application date： Nov. 17, 1995
Publication date： Jun. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来においては、製造されたCu/W基材をセラミック基板12にろう付けするための前処理工程として、前記Cu/W基材に3回のめっき処理と3回の熱処理とを施さなければならず、前処理工程が非常に複雑であり、前処理コストも高くつくという課題があった。また、めっき被膜の厚さを厳密に管理しなければならないため、工程管理が難しいという課題もあった。【解決手段】 Wの多孔質焼結体に溶融Cuを含浸して得られるCu/W基材にめっき処理を施すCu/W基材のめっき処理方法において、前記Cu/W基材にCuめっき処理を施した後、該Cuめっき処理が施されたCu/W基材に無電解Ni-Pめっき処理を施す。

Claim (excerpt)：

Wの多孔質焼結体に溶融Cuを含浸して得られるCu/W基材にめっき処理を施すCu/W基材のめっき処理方法において、前記Cu/W基材にCuめっき処理を施すCuめっき処理工程、及び該Cuめっき処理が施されたCu/W基材に無電解Ni-Pめっき処理を施すNi-Pめっき処理工程を含んでいることを特徴とするCu/W基材のめっき処理方法。

IPC (7)：

C23C 28/00 ,  C23C 2/34 ,  C23C 18/31 ,  C25D 5/12 ,  C23C 18/52 ,  C25D 3/38 101 ,  H01L 23/40

FI (7)：

C23C 28/00 B ,  C23C 2/34 ,  C23C 18/31 A ,  C25D 5/12 ,  C23C 18/52 B ,  C25D 3/38 101 ,  H01L 23/40 F