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J-GLOBAL ID：200903013093955390

高出力半導体レーザのエンド・ミラーを準備しパッシベーションする方法および関連するレーザ・デバイス

Inventor： マツシモ・デル・ジウデイーチエ ,  セルジオ・ペルグリーノ ,  フアビオ・ビデイマーリ ,  ミケーレ・ジヨバンニ・レ
Applicant, Patent owner： アルカテル・エヌ・ブイ
Agent (1)： 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995108697
Publication number (International publication number)：1996056057
Application date： May. 02, 1995
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ・ファセットが高出力動作時に劣化するのを抑制できる半導体レーザ・ファセット処理プロセスと、関連するレーザ・デバイスを提供する。【構成】 汚染物質と、雰囲気と半導体レーザの構成要素の間の反応の生成物とを除去できるプロセスを高真空条件下で提供する。同時に、望ましくない様々な非放射再結合プロセスの原因である強電子エネルギー・レベルのパッシベーション(非活性化)を行う水素拡散プロセスを実行する。さらに、半導体表面と雰囲気の間の接触を防ぐことができる保護誘電層を塗布する。

Claim (excerpt)：

半導体レーザのエンド・ミラーを準備しパッシベーションする方法において、自然酸化物および表面汚染物質を除去するように前記レーザ・ミラーを高還元雰囲気で処理するステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/08 ,  H01S 3/085

FI (2)：

G02B 1/10 Z ,  H01S 3/08 S