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J-GLOBAL ID：200903013096312385

シリカ膜の製造装置及びその製造方法

Inventor： 申 東 ウック ,  鄭 善 太
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998176899
Publication number (International publication number)：1999124673
Application date： Jun. 24, 1998
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリカ膜の生産工程を連続的に行うことにより生産性を向上させることにある。【解決手段】 複数のウェーハ11がローディングされる装着部を具備し、当該装着部に装着されたウェーハ11を搬送するコンベヤー13と、前記コンベヤー13の上部に位置し、火炎を生成させ前記複数のウェーハ上にシリカスートを蒸着する蒸着部15と、前記蒸着部15に隣接して前記シリカスートの水分を除去しうるか焼部21と、前記か焼部21に隣接して前記か焼されたシリカスートを緻密化してシリカ膜を形成する焼結部23とを備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複数のウェーハがローディングされる装着部を具備し、当該装着部に装着されたウェーハを搬送するコンベヤーと、前記コンベヤーの上部に位置し、火炎を生成させ前記複数のウェーハ上にシリカスートを蒸着する蒸着部と、前記蒸着部に隣接して前記シリカスートの水分を除去するか焼部と、前記か焼部に隣接して前記か焼されたシリカスートを緻密化してシリカ膜を形成する焼結部と、を備えることを特徴とするシリカ膜の製造装置。

IPC (5)：

C23C 16/40 ,  C01B 33/12 ,  C23C 16/44 ,  H01L 31/0248 ,  H01L 31/10

FI (5)：

C23C 16/40 ,  C01B 33/12 Z ,  C23C 16/44 F ,  H01L 31/08 G ,  H01L 31/10 A