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J-GLOBAL ID：200903013101666603

半導体発光素子及びエピタキシャルウェハ

Inventor： 大島 祐一 ,  柴田 真佐知 ,  秋元 克弥 ,  土屋 忠厳
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001029300
Publication number (International publication number)：2002232008
Application date： Feb. 06, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】一種類の材料系からなる半導体発光素子を基に、簡便な方法で作成でき、白色、中間色を含む様々な色合いの発光が得られる半導体発光素子及びそのためのエピタキシャルウェハを安価に提供すること。【解決手段】基板1上に少なくとも第1導電型の下部クラッド層3と、該下部クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい発光層4と、該発光層よりバンドギャップエネルギーが大きい第2導電型の上部クラッド層6を積層してなる半導体発光素子において、前記発光層4よりも上側または下側に1種類以上の希土類元素を含む半導体層を挿入し、この挿入層5にドープされた希土類元素が前記発光層4からの発光によって励起され蛍光を生じるように構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第1導電型の下部クラッド層と、該下部クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい発光層と、該発光層よりバンドギャップエネルギーが大きい第2導電型の上部クラッド層を積層してなる半導体発光素子において、前記発光層よりも上側または下側に、1種類以上の希土類元素を含む半導体層を挿入し、この挿入層にドープされた希土類元素が前記発光層からの発光によって励起され蛍光を生じるように構成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (7)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/74 ,  C09K 11/88 CPA

FI (7)：

H01L 33/00 F ,  C09K 11/00 Z ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/74 ,  C09K 11/88 CPA

F-Term (26)：

4H001CA01 ,  4H001CA02 ,  4H001XA07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA15 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA44 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F041FF01