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J-GLOBAL ID：200903013105299923

はんだバンプ形成方法

Inventor： 田中 厚志 ,  渦巻 拓也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994146492
Publication number (International publication number)：1996018210
Application date： Jun. 28, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ICチップ等半導体デバイスの回路基板への実装技術に関し、微細で均一なはんだパンプの形成方法を提供する。【構成】 逆テーパー状の開口部1を有する金属マスク2を用いて、基板3上の電極4にはんだバンプ形成用の低融点金属5を蒸着する。また、低融点金属5を蒸着後、真空を破らずに低融点金属5のリフロー加熱を行い、はんだバンプ6を形成する。

Claim (excerpt)：

逆テーパー状の開口部(1) を有する金属マスク(2) を用いて、基板(3) 上の電極(4) にはんだバンプ形成用の低融点金属(5) を蒸着することを特徴とするはんだバンプ形成方法。

IPC (4)：

H05K 3/34 505 ,  C23C 14/30 ,  H01L 21/321 ,  H05K 3/24