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J-GLOBAL ID：200903013106374201
多結晶酸化薄膜の酸素最密充填面を用いたZnO薄膜電極構造体及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996339766
Publication number (International publication number)：1997255491
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ガラス基板上に成膜されている多結晶酸化薄膜の酸素最密充填面の酸素配列を用いたZnO薄膜の電極構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、前記基板上に形成されている立方構造または類似立方構造の酸化物薄膜層と、前記酸化物薄膜層上に形成されているZnO層を具備する。このような本発明の電極構造体はLCDのような平板ディスプレーまたは太陽電池等に適用でき、良好なZnOの結晶性により良質の製品が得られる。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成されている立方構造または類似立方構造の酸化物薄膜層と、前記酸化物薄膜層上に形成されているZnO層を具備することを特徴とする多結晶酸化薄膜の酸素最密充填面を用いたZnO薄膜電極構造体。
IPC (6)：
C30B 29/16
, B32B 9/00
, C03C 17/34
, C23C 14/08
, H01B 5/14
, H01L 21/28 301
C30B 29/16
, B32B 9/00 A
, C03C 17/34 Z
, C23C 14/08 N
, H01B 5/14 A
, H01L 21/28 301 Z
