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J-GLOBAL ID：200903013116798360

光半導体素子

Inventor： 遠 山 政 樹 ,  船 水 将 久 ,  平 山 雄 三
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998019990
Publication number (International publication number)：1998275960
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高速変調動作と高出力動作が得られ、かつ波長チャープの小さい光源を提供する。【解決手段】 出射端面近傍において光導波層を除去すると同時に、出射端面に向かって放射される光の広がり角に応じて、狭メサ形状を呈したクラッド層の幅を変化させて形成する。

Claim (excerpt)：

ストライプ状の光導波層がクラッド層により埋め込まれており、前記クラッド層が前記光導波層を含んだ狭メサ形状を呈している光半導体素子において、出射端面近傍で前記光導波層が除去されていると同時に、前記光導波層の端部から出射端面に向かって放射される光の広がり角に応じて、出射端面近傍において前記クラッド層の幅もしくは厚さが変化するように形成されていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/025

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  G02B 6/12 B