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J-GLOBAL ID：200903013138878902

半導体装置

Inventor： 若田部 勝 ,  九里 伸治 ,  菅 孝
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057163
Publication number (International publication number)：1993226638
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 逆漏れ電流の極めて小さい、低損失、高耐圧、かつ高速の半導体装置を得る。【構成】 一対の逆導電型半導体領域(例えばP+)ではさまれた一導電型半導体(例えば、N)の最短距離をWN、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をWbiとしたとき、0<WN≦2Wbiであるように構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体の表面に複数の逆導電型半導体領域を形成し、該逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の表面に電極を設けた半導体装置において、一対の逆導電型半導体領域ではさまれた一導電型半導体の最短距離をWN、一導電型半導体と逆導電型半導体領域の比抵抗で決まる零電位の空乏層幅をWbiとしたとき、0<WN≦2Wbiであるように構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/48 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 B