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J-GLOBAL ID：200903013139898885
位相シフトマスク及びマスクパターン発生方法及びマスクパターン発生装置及び位相シフトマスクの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992266274
Publication number (International publication number)：1994118614
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】【構成】レベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、寸法に応じて開口部が異なる透過率を有し、露光光を吸収するイオン濃度のマスク基板中の面内分布によって透過率を制御する。また位相シフトマスクの製造方法は少なくとも一つのイオン注入工程を行い、マスク基板中にイオン濃度の面内分布を形成する。さらにマスクパターン発生方法及びマスクパターン発生装置は、マスクパターンの発生の他に開口部の透過率を発生させる手順及び手段を有する。【効果】レベンソン方式の位相シフトマスクが開口部が異なる透過率を有することにより、レジスト寸法とマスク寸法との寸法ズレを抑制することが可能となる。また露光光吸収するイオンによって透過率を変化させることで位相変動や反射迷光による寸法変動を抑制する。またマスクパターンの他に開口部の透過率を発生させることで、開口部が異なる透過率を有するマスクの製造が容易になる。
Claim (excerpt)：
ガラス基板、遮光膜及び位相変化膜によって構成され、隣接する開口部の位相が互いに逆位相に形成されたレベンソン方式の位相シフトマスクにおいて、開口部及び遮光部の寸法に応じて前記開口部が異なる透過率を有することを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
