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J-GLOBAL ID：200903013140413585

単電子二重トンネル接合論理素子

Inventor： 日 暮 等
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993054177
Publication number (International publication number)：1994268203
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 環境との結合によって引き起こされるトンネル接合の電荷のゆらぎに対して安定に動作するとともに、複数種類の論理演算を行うことを可能にする。【構成】 一方の電極に、バイアス電圧が印加される電圧印加端子が設けられた、静電容量がC1 である第1の単電子トンネル接合1と、一方の電極に、負荷素子を介して出力端子が設けられた、静電容量がC2 である第2の単電子トンネル接合2と、第1の単電子トンネル接合の他方の電極と第2の単電子トンネル接合の他方の電極とに接続された中間電極10と、入力信号が入力される第1および第2のゲート電極7,8と、第1および第2のゲート電極と中間電極との間に各々設けられ、各々の静電容量がCg (1) ,Cg (2) である第1および第2のキャパシタ3,4と、を備え、中間電極のキャパシタンスCo (=C1 +C2 +Cg(1) +Cg (2) )によって決まるしきい値電圧近傍の電圧を電圧印加端子に印加して動作させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一方の電極に、バイアス電圧が印加される電圧印加端子が設けられた、静電容量がC1 である第1の単電子トンネル接合と、一方の電極に、負荷素子を介して出力端子が設けられた、静電容量がC2 である第2の単電子トンネル接合と、前記第1の単電子トンネル接合の他方の電極と前記第2の単電子トンネル接合の他方の電極とに接続された中間電極と、入力信号が入力される第1および第2のゲート電極と、前記第1および第2のゲート電極と中間電極との間に各々設けられ、各々の静電容量がCg (1) ,Cg (2) である第1および第2のキャパシタと、を備え、前記中間電極のキャパシタンスCo (=C1 +C2 +Cg (1) +Cg (2) )によって決まるしきい値電圧近傍の電圧を前記電圧印加端子に印加して動作させることを特徴とする単電子二重トンネル接合論理素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭53-125186