Pat
J-GLOBAL ID：200903013141463276
面発光半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000153125
Publication number (International publication number)：2001332812
Application date： May. 24, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 光出力特性を劣化させることなく動作電圧を低減させることができる面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 複数の半導体材料をヘテロ接合して成る一対の反射鏡層構造2,5の間に発光層4を配置した層構造が基板の上に形成され、かつ、反射鏡層構造2,5に不純物がドーピングされている面発光半導体レーザ素子において、反射鏡層構造2,5のうち前記発光層4の近傍に位置する領域2A(5A)における不純物のドーピング濃度は、他の領域2B(5B)における不純物のドーピング濃度よりも相対的に低濃度であり、かつ、発光層の近傍に位置する領域2A(5A)を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差ΔEg(2A,5A)は、他の領域2B(5B)を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差ΔEg(2B,5B)よりも相対的に小さい面発光半導体レーザ素子。
Claim (excerpt)：
複数の半導体材料をヘテロ接合して成る一対の反射鏡層構造の間に発光層を配置した層構造が基板の上に形成され、かつ、前記反射鏡層構造に不純物がドーピングされている面発光半導体レーザ素子において、前記反射鏡層構造のうち前記発光層の近傍に位置する領域における不純物のドーピング濃度は、他の領域における不純物のドーピング濃度よりも相対的に低濃度であり、かつ、前記発光層の近傍に位置する領域を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差は、前記他の領域を構成する半導体材料の相互間におけるエネルギーギャップ差よりも相対的に小さいことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
F-Term (8)：
5F073AB17
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA29
Cited by examiner (3)
-
垂直共振器型面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-032475
Applicant：松下電器産業株式会社
-
特開平4-280693
-
面発光レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-264824
Applicant：日本電信電話株式会社
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
