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J-GLOBAL ID：200903013153224536

半導体装置及びそれを用いたインバータ装置

Inventor： 桜井 直樹 ,  長州 正浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172274
Publication number (International publication number)：1996037294
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、低損失で漏れ電流の小さい半導体装置を提供する。【構成】第1導電型p+の第1の半導体層1と、前記第1の半導体層1に隣接し、第1の半導体層より広いバンドギャップを持つ第2導電型(n-)の第2の半導体層2とからなるpn接合を持っている半導体スイッチング素子である。【効果】第1の半導体層よりも第2の半導体層のバンドギャップが広いので、第1の半導体層より注入されるキャリアの障壁が小さくなる。このためオン電圧が小さくなり、低損失化できる。また、第2の半導体層のバンドギャップが広いので漏れ電流を小さくできる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層に隣接する第2導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層に隣接する第1導電型の第3の半導体層と、第3の半導体層に形成される第2導電型の第4の半導体層と、を備え、第2の半導体層の半導体材料のバンドギャップが、第1半導体層の半導体材料のバンドギャップよりも広いことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 電気車の電力変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-139114   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-051363
  
• 電力用半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257993   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-271638