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J-GLOBAL ID：200903013153297789
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326329
Publication number (International publication number)：1998173235
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体層とコンタクトを取るためにサファイア基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、かつ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提供する。【解決手段】 絶縁基板1と、該絶縁基板上に発光層を形成すべく積層される半導体層2〜5と、該半導体層の上面に形成される上部電極8と、前記絶縁基板の裏面側に設けられ、該基板のコンタクト孔1cを介して前記積層される半導体層の下層部に接続される下部電極9とからなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔1cが設けられている。
Claim (excerpt)：
絶縁基板と、該絶縁基板上に発光層を形成すべく積層される半導体層と、該半導体層の上面に形成される上部電極と、前記絶縁基板の裏面側に設けられ、該基板のコンタクト孔を介して前記積層される半導体層の下層部に接続される下部電極とからなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔が設けられてなる半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
