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J-GLOBAL ID:200903013158670674

サブマウント

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995181962
Publication number (International publication number):1997036274
Application date: Jul. 18, 1995
Publication date: Feb. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】半導体レーザー素子とヒートシンク間の導電性を有する新規の半導体レーザー素子用のサブマウントであって、高い信頼性を有し且つ小型化が可能なものを得る。【解決手段】絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が、例えば、銅、タングステン、モリブデン等の金属ペーストをスルーホール内部に充填した後に焼成して形成された金属ビアホールにより電気的に互いに接続されてなれるサブマウント。
Claim (excerpt):
絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が金属ビアホールにより電気的に互いに接続されてなるサブマウント。
IPC (3):
H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  H01S 3/18
FI (3):
H01L 23/12 J ,  H01S 3/18 ,  H01L 23/36 D

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