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J-GLOBAL ID：200903013178438360

半導体慣性センサ及びその製造方法

Inventor： 柴谷 博志 ,  村石 賢介
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319606
Publication number (International publication number)：1998163505
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ウェーハの貼り合わせやレーザ加工が不要で大量生産に適する、低コストの半導体慣性センサを得る。また寄生容量が低く、高感度で高精度であって寸法精度に優れた半導体慣性センサを得る。【解決手段】 半導体慣性センサ30は、ガラス基板10の上方に可動電極26が設けられ、この可動電極26を挟んで一対の固定電極27,28が設けられる。可動電極26及び一対の固定電極27,28がポリシリコンからなる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板(10)の上方に浮動するように設けられた可動電極(26)と、前記ガラス基板(10)上に前記可動電極(26)を挟んで設けられた一対の固定電極(27,28)とを備えた半導体慣性センサ(30,60)において、前記可動電極(26)及び一対の固定電極(27,28)がポリシリコンからなることを特徴とする半導体慣性センサ。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04

FI (3)：

H01L 29/84 Z ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04