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J-GLOBAL ID：200903013180883274

薄膜トランジスタ型液晶表示素子とその製造方法

Inventor：
崔 佑 鎬

About 崔 佑 鎬


Applicant, Patent owner：
現代電子産業株式会社

About 現代電子産業株式会社


Agent (1)： 瀬谷 徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998108213
Publication number (International publication number)：1999024108
Application date： Apr. 17, 1998
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 製造工数を減少させることにより、製造コストを削減することができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】 第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の対向面の一部分に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の形成された前記第1基板の対向面全面に形成されたカラーフィルタ層と、前記第1基板の対向面の他部分上に位置する前記カラーフィルタ層上部に形成され前記スイッチング素子と電気的に連結される第1電極と、前記第2基板の対向面のうち前記スイッチング素子に該当する部分に形成されたブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスの形成された前記第2基板の対向面全面に形成された第2電極とを備える構成とする。
Claim (excerpt)：
第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の対向面の一部分に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の形成された前記第1基板の対向面全面に形成されたカラーフィルタ層と、前記第1基板の対向面の他部分上に位置する前記カラーフィルタ層上部に形成され前記スイッチング素子と電気的に連結される第1電極と、前記第2基板の対向面のうち前記スイッチング素子に該当する部分に形成されたブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスの形成された前記第2基板の対向面全面に形成された第2電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
IPC (2)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 505
FI (2)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 505
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 液晶表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-228849   Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
  • アクティブマトリックス液晶表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-089809   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 液晶表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-260006   Applicant：凸版印刷株式会社

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