ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005095523
Publication number (International publication number)：2006276458
Application date： Mar. 29, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンプロファイル、現像欠陥、レジストパターンの倒れが改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、特に液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。【解決手段】(A)脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位と、ナフタレン構造を有する繰り返し単位とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位と、ナフタレン構造を有する繰り返し単位とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (2)：

G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (13)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭57-153433号公報
パターン形成方法及びその露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008136 Applicant：株式会社日立製作所
液浸型露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-121757 Applicant：株式会社ニコン

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