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J-GLOBAL ID：200903013186222547

SiC単結晶の成長方法

Inventor： 高橋 淳 ,  金谷 正敏 ,  大谷 昇
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994056036
Publication number (International publication number)：1995267795
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 種結晶と結晶方位の異なる結晶グレインの発生を抑え、良質のSiC単結晶インゴットを成長させる方法を提供する。【構成】 昇華再結晶法において、SiC単結晶の(0001)基底面に、垂直な面から【外1】SiC単結晶の成長方法。

Claim (excerpt)：

昇華再結晶法において、種結晶としてSiC単結晶の(0001)基底面に垂直な面から【外1】SiC単結晶の成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00