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J-GLOBAL ID：200903013199274562

電磁RF結合を用いたプラズマ反応装置及びその方法

Inventor： ケニス エス コリンズ ,  チャン ロン ヤン ,  ジェリー ユーエン クイ ウォン ,  ジェフリー マークス ,  ピーター アール ケズウィック ,  ディヴィッド ダブリュー グローチェル
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992340841
Publication number (International publication number)：1994112166
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 損傷を与えず、マイクロローディングを用いることもなく敏感な装置を加工でき、歩留まりを上げること及び酸素非含有層上にある酸素含有層のエッチングを高い選択度で達成すること。【構成】 本発明のプラズマリアクターチャンバーはリアクタードーム内に誘導結合されたRFエネルギー(LF,MF,VHF)によって駆動されるアンテナ30を用いる。アンテナ30はチャンバー内に酸素非含有層上にある酸素含有層を高い選択度でエッチングするための高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。基板支持カソード32に印加される補助RFバイアスエネルギーがカソードシース電圧を制御し、また密度にかかわらずイオンエネルギーを制御する。エッチング処理、蒸着処理およびエッチング/蒸着組合せ処理とともにさまざまな磁気および電圧処理向上技術を開示する。

Claim (excerpt)：

a)プラズマを発生するための真空チャンバーを備え、b)チャンバー内の電極上に処理されるべき物質を支持し、c)前記チャンバーにフッ素含有エッチングガスを供給し、d)前記物質を処理するための高密度プラズマを発生させるため前記チャンバーに、RF電源からRFエネルギーを電磁結合し、e)前記支持電極を介して前記チャンバーにRFエネルギーを容量結合し、且つf)シリコンイオン源を前記プラズマに与えることを含むプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-009120
  
• 特開昭63-155728
  
• 特開昭61-107730