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J-GLOBAL ID：200903013211174269

GaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子

Inventor： 秋田 勝史
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007132035
Publication number (International publication number)：2008285364
Application date： May. 17, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：

【課題】半導体発光素子の発光効率の向上を図ることができるGaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子を提供する。【解決手段】GaN基板30は、その成長面30aが、m面若しくはa面に対してオフ角を有する面である。このGaN基板30においては、成長面30aがオフ角を有するm面若しくはa面となっている。これらのm面及びa面は非極性面であるため、このGaN基板30を用いて半導体発光素子を作製した場合には、ピエゾ電界の影響を回避して高い発光効率を実現することができる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

成長面が、m面若しくはa面に対してオフ角を有する面である、GaN基板。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (30)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-109099   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-269799   Applicant：三洋電機株式会社
• 高純度アンモニアを使用した窒化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-186630   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-014946   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子とその光ピックアップ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-126908   Applicant：シャープ株式会社
• III族窒化物系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-284859   Applicant：豊田合成株式会社