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J-GLOBAL ID：200903013212810223

プラズマ処理装置

Inventor： 横森 昭仁 ,  宮田 健治 ,  手束 勉 ,  吉岡 健 ,  園部 正 ,  鈴木 和夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立エンジニアリングサービス
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048887
Publication number (International publication number)：1995263348
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】マイクロ波の強度分布を、簡単かつ確実に制御することの可能なプラズマ処理装置を提供する。【構成】マイクロ波と放電ガスが導入されるプラズマ発生室1と、プラズマ発生室1内に磁場を発生させる磁場発生手段2と、プラズマ発生室1内にマイクロ波を放射するマイクロ波導入手段3、4と、プラズマ発生室1とマイクロ波導入手段3を仕切るマイクロ波導入窓材5とを有するプラズマ処理装置において、導入窓材5のマイクロ波入射面上に複数個の誘電体片6を配置することで、マイクロ波の強度分布が、導入窓材5を通過する際に誘電体片6により強められ、プラズマ発生室1内に放射されるマイクロ波強度分布を制御することができる。

Claim (excerpt)：

電磁波により生成したプラズマを利用して基板の表面処理を行うプラズマ処理装置において、電磁波を用いてプラズマを発生するプラズマ発生室と、当該プラズマ発生室へ電磁波を供給する電磁波供給手段と、当該プラズマ発生室内での電磁波の強度分布を制御する分布制御手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065