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J-GLOBAL ID：200903013212973769

欠陥検査方法及び装置

Inventor： 早野 史倫
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 大森 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993263366
Publication number (International publication number)：1995120403
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 欠陥検出と欠陥観察とを行う欠陥検査方法において、検査時間を全体として短縮する。【構成】 レチクル1の表面を多数のセルE(1,1)、E(1,2)、...に分割し、各セルE(i,j)毎に内部で最大の欠陥の検出信号のサンプル値Vij1を求め、各セルの中心座標と最大の欠陥のサンプル値とを検出順にメモリに格納する。その後、内部の最大の欠陥の大きいセルから順に、セル単位で観察部の観察視野15aにより欠陥の観察を行う。不良箇所があった場合には、その時点でレチクル1の欠陥検査を終了する。

Claim (excerpt)：

被検物の被検面上に検査用の光を照射し、前記被検面からの前記検査用の光の散乱光に基づいて前記被検面上の欠陥を検出し、該検出された欠陥を所定の倍率で観察する欠陥検査方法において、前記被検面からの前記検査用の光の散乱光の光電変換信号に基づいて前記被検面上の欠陥の大きさを判別し、前記検出された欠陥が複数個ある場合に、前記判別結果に基づいて前記検出された欠陥を欠陥の大きい順に前記所定の倍率で観察し、該観察の結果不良箇所があったときに前記被検物の欠陥検査を終了することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (2)：

G01N 21/88 ,  H01L 21/66