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J-GLOBAL ID:200903013220761576
回路用絶縁基板
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
矢野 正行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992322708
Publication number (International publication number):1994152085
Application date: Nov. 05, 1992
Publication date: May. 31, 1994
Summary:
【要約】【構成】酸化ジルコニウムZrO2及び/又は酸化マグネシウムMgOと、シリコンよりも熱膨張係数の高い絶縁体結晶とを含有する窒化珪素Si3N4系セラミックスよりなることを特徴とする回路用絶縁基板。【効果】その熱膨張係数がシリコンのそれに近いことから、シリコンチップ搭載時の接続不良やチップ剥離を防止することができる。また、機械的強度が高いことから、金属リードの接合時や回路用基板の搬送時の割れ、カケを防止することができる。しかも主成分が窒化珪素であって誘電率が小さいものであるから、信号伝播の高速化を図ることができる。
Claim (excerpt):
酸化ジルコニウムZrO210〜20重量%を含有する窒化珪素Si3N4系セラミックスよりなることを特徴とする回路用絶縁基板。
IPC (3):
H05K 1/03
, C04B 35/58 102
, C04B 35/58
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭60-136390
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特開昭63-035454
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特開平4-254474
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