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J-GLOBAL ID：200903013221210476

半導体レーザ

Inventor： 池田 昌夫 ,  大畑 豊治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993143910
Publication number (International publication number)：1995007218
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 II-VI族化合物より成る半導体レーザの動作電圧を低減化し、動作電圧の低い緑色乃至青色半導体レーザを得て室温連続動作及び長寿命動作を可能とする。【構成】 p型のGaAsより成る基板1上に、少なくとも一層のAlGaInP系材料より成る層を緩衝層11として介してp型のZnSe又はp型のZnSSeより成るバッファ層2を設け、その上にII-VI族化合物より成るレーザ構造を構成する。

Claim (excerpt)：

p型のGaAsより成る基板上に、少なくとも一層のAlGaInP系材料より成る層を緩衝層として介してp型のZnSe又はp型のZnSSeより成るバッファ層が設けられ、その上にII-VI族化合物より成るレーザ構造が形成されて成ることを特徴とする半導体レーザ。