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J-GLOBAL ID：200903013224898231

半導体評価解析装置

Inventor： 佐々木 壮一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194145
Publication number (International publication number)：1994034723
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電子ビームをX方向又はY方向にのみにラインスキャンさせ、半導体デバイス表面の情報を得て、自動的に配線の位置を検出する。【構成】 検出器8から得たコントラスト信号を増幅器9に入力し、増幅信号から配線のエッジを検出する位置検出器24へ信号を入力する。【効果】 電子ビームを使用する電子ビームテスタの自動化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

電子ビームを水平又は垂直方向にのみ走査して被測定物である半導体デバイスに照射する電子ビーム照射手段、前記半導体デバイスから出てくる二次電子の電位コントラスト、形状コントラスト、材質コントラストを検出する二次電子検出手段、及び走査時間とコントラストの関係に基づいて前記コントラストの変化が現れる点で前記電子ビームの走査を止めさせる位置検出手段を備えたことを特徴とする半導体評価解析装置。

IPC (2)：

G01R 31/302 ,  H01L 21/66