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J-GLOBAL ID：200903013232911140

基体処理装置

Inventor： 成田 雅貴 ,  関根 誠 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191179
Publication number (International publication number)：1994037054
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 電極面の広範囲にわたり均一なプラズマを形成し、プラズマを閉じこめ、ウエハの全表面にわたり高密度のプラズマを維持できる基体処理装置を提供する。【構成】 真空容器1内に第1の電極2とそれに対向した第2の電極7を備え、また真空容器内に所定ガスを導入するガス供給手段4と、真空容器内を減圧下に維持する真空排気手段6と、前記第1及び第2の電極間に電界を発生させる電界発生手段5と、さらに真空容器内に磁界を発生させる磁界発生手段13とを具備している。磁界発生手段は外周で環状をなし、着磁方向が環の半周で1回転可能なように配列され、磁界の強度がNS方向の周縁部近傍で中央部と同等、またはより強くなるように構成された複数の磁石13a,13b,23a,23bを含み、第1と第2の電極間にプラズマを封じ込めるように構成されている。

Claim (excerpt)：

第1の電極と、前記第1の電極に対向して配置された被処理基板が設置される第2の電極とを備えた真空容器と、該真空容器内に所定のガスを導入するガス供給手段と、該真空容器内を減圧下に維持する真空排気手段と、前記第1および第2の電極との間に電界を発生せしめる電界発生手段と、該真空容器内に磁界を発生せしめる磁界発生手段とを具備し、前記磁界発生手段が、外周で環状をなすとともに、着磁方向が前記環の半周で1回転可能なように配列された複数の磁石要素を含み、前記磁界の強度がNS方向の周縁部近傍で中央部と同等もしくはより強くなるように構成されたことを特徴とする基体処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-224227
  
• 特開平4-000389
  
• 特開昭61-187336
  
• 特開昭62-263637