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J-GLOBAL ID:200903013250583788

アバランシエ増倍型受光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991296053
Publication number (International publication number):1993136451
Application date: Nov. 12, 1991
Publication date: Jun. 01, 1993
Summary:
【要約】【目的】 アバランシェ増倍型受光素子を改良する。【構成】 アバランシェ増倍用の高電圧が印加される第1および第2の電極は、絶縁膜を介して半導体薄膜に積層されているので、注入電流を十分に低減できる。また、信号電流の取り出しは、これと交差する方向の第3および第4の電極間でなされるので、高電界領域外に信号出力部を設け得る。
Claim (excerpt):
基板上に、第1の電極、第1の絶縁膜、半導体薄膜、第2の絶縁膜および第2の電極を順次に堆積した積層構造体が形成され、前記積層構造体の一方の端部近傍には前記第1の電極側で前記半導体薄膜に接続された第3の電極が設けられると共に、他方の端部近傍には前記第2の電極側で前記半導体薄膜に接続された第4の電極が設けられ、前記第1および第2の電極間には前記半導体薄膜でアバランシェ増倍を生じさせ得る電圧が印加されると共に、前記第3および第4電極を介して検出信号が出力されるようにしたことを特徴とするアバランシェ増倍型受光素子。
IPC (2):
H01L 31/107 ,  H01L 27/146
FI (2):
H01L 31/10 B ,  H01L 27/14 A

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