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J-GLOBAL ID：200903013257602745

半導体パッケージ用放熱部材の製造方法

Inventor： 藤井 孝浩 ,  竹島 鋭機 ,  坂戸 健二 ,  内田 和子
Applicant, Patent owner： 日新製鋼株式会社
Agent (1)： 小橋 信淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076018
Publication number (International publication number)：1993243436
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子に近似した熱膨張係数を持ち放熱性に優れた半導体素子搭載基板,ヒートシンク,放熱フィン等の放熱部材を得る。【構成】 粒径3〜10μmのW,Mo粉末の個々の粒子表面に10〜40重量%の重量比でCu又はAgのめっき層を形成し、めっきした粉末を成形・焼結した後、断面減少率50%以上の圧下率で圧延することによって製造される。【効果】 焼結体を圧延することによって、内部欠陥がない圧密化組織及び緻密な表面をもつ圧延材が得られる。圧延材は、打抜き,曲げ加工等によって必要形状の製品に仕上げられる。製品は、Si等の半導体素子に近似した熱膨張係数をもち、半導体素子や外囲器との間に熱応力に起因する剥離,クラック等を発生することがない。また、めっき層の密着性も良好である。

Claim (excerpt)：

粒径3〜10μmのW,Mo粉末の個々の粒子表面に10〜40重量%の重量比でCu又はAgのめっき層を形成し、該めっきした粉末を成形・焼結した後、断面減少率50%以上の圧下率で圧延することを特徴とする半導体パッケージ用放熱部材の製造方法。