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J-GLOBAL ID：200903013268670483

半導体装置

Inventor： 田中 順 ,  片岡 文雄 ,  吉川 治彦 ,  小原 功
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022474
Publication number (International publication number)：1995235622
Application date： Feb. 21, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】はんだ付け実装時のモールド樹脂クラックやモールド樹脂とポリイミド保護膜界面での剥離を防止し、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実現する。【構成】半導体素子の表面をポリイミド系樹脂にて被覆し、これをリードフレーム上に搭載し、その周辺を樹脂でモールドし、複数のリードを介して樹脂内外の電気接続を行うようにした樹脂封止型半導体装置であって、この表面保護膜を、ポリイミド分子の末端が酸無水物構造に富む状態の変成ポリイミドで構成すると共に、モールド樹脂をエポキシ系樹脂で構成し、少なくともこれら両者の界面で両樹脂を化学的に結合させ、化学結合層を形成するようにしたものである。変成ポリイミドとしては、酸二無水物モノマをジアミンモノマに対して当量モル比より0.02〜10%過剰に加えて合成されたポリイミド前駆体を加熱処理して得られるものとする。

Claim (excerpt)：

表面保護膜としてポリイミド系樹脂を被覆した半導体素子をリードフレーム上に搭載し、その周辺を樹脂でモールドし、複数のリードを介して樹脂内外の電気接続を行う構造を有する樹脂封止型半導体装置において、前記表面保護膜をポリイミド分子の末端が酸無水物構造に富む状態の変成ポリイミドで構成すると共に、モールド樹脂をエポキシ系樹脂で構成し、少なくともこれら両者の界面に両者の化学結合層を形成して成る樹脂封止型半導体装置。

IPC (6)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 73/10 NFT ,  G03F 7/008 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/028

FI (2)：

H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 R