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J-GLOBAL ID：200903013269571268

半導体装置の実装構造およびその製造方法

Inventor： 菊地 正義
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993239238
Publication number (International publication number)：1995074206
Application date： Sep. 01, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【構成】 可撓性フィルム201を間に挟んで半導体装置101と液晶表示装置204があり、可撓性フィルム201の貫通穴203を通って半導体装置101の突起電極107が導電性接着剤205を介して液晶表示装置の画素側の第1の配線207および入力側の第2の配線208に接続し、突起電極107の周りにある半田106は溶融固化した状態で突起電極107と可撓性フィルム201の配線材料202とに接続していることを特徴とする半導体装置の実装構造およびその製造方法。【効果】 可撓性フィルムにより半導体装置の検査が可能になる。また、突起電極根元周りが半田により補強され突起電極強度が向上し、微細な突起電極が形成できる。入力側配線が不要となり、基板サイズを縮小できる。

Claim (excerpt)：

貫通穴および配線材料を有し、配線を有する基板と半導体装置との間に設ける可撓性フィルムを備え、貫通穴を通って半導体装置の突起電極頂部が基板の配線と接続し、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムの配線材料とが半田で接続していることを特徴とする半導体装置の実装構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-143343
  
• 特開昭61-183945