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J-GLOBAL ID：200903013270878741

化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法

Inventor： 塚田 恵理 ,  クリスチャン・デュサラ ,  ジャンマルク・ジラルド
Applicant, Patent owner： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Agent (5)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004025479
Publication number (International publication number)：2005213633
Application date： Feb. 02, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、比較的低温で、優れた膜特性を有するシリコン窒化物膜もしくはシリコンオキシ窒化物膜をCVD法により製造するための方法を提供する。【解決手段】少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内に、トリス(イソプロピルアミノ)シランのようなアミノシランガスと、ジメチルヒドラジンのようなヒドラジン化合物ガスを供給することにより両ガスを反応させ、基板上にシリコン窒化物膜を形成する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内に、下記式(I): (H)n-Si-(N(R)2)4-n (I) (ここで、各Rは、それぞれ独立に、水素原子、1〜4個の炭素原子を有するアルキル基またはトリメチルシリル基を表し、nは、0〜3の整数を表わす。ただし、すべてのRが同時に水素原子であることはない)で示されるアミノシランガスと、下記式(II): N2(H)4-x(R1)x (II) (ここで、各R1は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基またはフェニル基を表し、xは、0〜4の整数を表わす)で示されるヒドラジン化合物ガスを供給することにより両ガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物膜を形成することを特徴とする化学気相成長法によるシリコン窒化物膜の製造方法。

IPC (1)：

C23C16/42

FI (1)：

C23C16/42

F-Term (6)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10