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J-GLOBAL ID：200903013276827944

信号切り替え用スイッチ

Inventor： 小浜 一正
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142721
Publication number (International publication number)：1994334506
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】高電力の高周波信号に対応でき、また、所望の挿入損やアイソレーション特性を有する信号切り替え用スイッチを提供する。【構成】信号切り替え用スイッチは、信号入力部IN、信号出力部OUT及び信号入出力部IOを有し、信号入力部IN及び信号入出力部IOに接続されたFET群1、信号入力部INに接続され且つ接地されたFET群2、信号出力部OUT及び信号入出力部IOに接続されたFET群3、信号出力部OUTに接続され且つ接地されたFET群4から成り、FET群1のFETは、信号入力部INからの入力信号の最大電流振幅値よりもソース・ドレイン飽和電流の値が大きくなるようなゲート幅を有し、FET群2及びFET群3を構成するFETの耐電圧で信号入力部INからの入力信号の最大電圧振幅値を除した値を切り上げた数の段数で、FET群2及びFET群3は構成されている。

Claim (excerpt)：

信号入力部、信号出力部及び信号入出力部を有し、4つの電界効果トランジスタ群から成る信号切り替え用スイッチであって、第1の電界効果トランジスタ群の一端は信号入力部に接続され、他端は信号入出力部に接続され、第2の電界効果トランジスタ群の一端は信号入力部に接続され、他端は接地され、第3の電界効果トランジスタ群の一端は信号出力部に接続され、他端は信号入出力部に接続され、第4の電界効果トランジスタ群の一端は信号出力部に接続され、他端は接地されており、第1の電界効果トランジスタ群を構成する電界効果トランジスタは、信号入力部から入力される信号の最大電流振幅値よりもソース・ドレイン飽和電流の値が大きくなるようなゲート幅を有し、第2の電界効果トランジスタ群を構成する電界効果トランジスタの耐電圧で信号入力部から入力される入力信号の最大電圧振幅値を除した値を切り上げた数の段数で、第2の電界効果トランジスタ群は構成され、第3の電界効果トランジスタ群を構成する電界効果トランジスタの耐電圧で信号入力部から入力される入力信号の最大電圧振幅値を除した値を切り上げた数の段数で、第3の電界効果トランジスタ群は構成されていることを特徴とする信号切り替え用スイッチ。