Pat

J-GLOBAL ID：200903013285503167

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 汐先 政貴 ,  平田 照二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999040324
Publication number (International publication number)：2000244058
Application date： Feb. 18, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】戻り光ノイズに強く、雑音特性に優れ、低動作電流を実現できる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲインガイド構造を有する半導体レーザにおいて、レーザ光を出射する光出射前端面近傍で、ストライプ部107の両側に、底面から活性層104までの距離Dが800nm以内の値に設定され、かつ光共振器方向の長さLfが60μm以下に設定された溝111,112を形成して、共振器長方向と垂直な横方向の導波に関して作りつけの屈折率差を持つインデックスガイド領域IDAを設け、インデックスガイド領域を除く領域は作りつけの屈折率差を持たないゲインガイド領域GNAを設ける。これにより、活性層104に過飽和吸収層が確実に形成され、セルフパルセーションを引き起こすことができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、ストライプ状の電流注入構造を備えた半導体レーザであって、導波機構が、ストライプ部の所定の領域の両側に形成された溝により構成され、共振器長方向と垂直な横方向の導波に関して作りつけの屈折率差を持つインデックスガイド領域と、インデックスガイド領域を除く領域に形成され、上記作りつけの屈折率差を持たないゲインガイド領域とを有する半導体レーザ。

F-Term (12)：

5F073AA13 ,  5F073AA35 ,  5F073AA51 ,  5F073BA06 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073DA23 ,  5F073EA01 ,  5F073EA27