Pat

J-GLOBAL ID：200903013313654346

酸化シリコン膜のドライ・エッチング方法

Inventor： オチュット クマール ドット ,  中村 真一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993077218
Publication number (International publication number)：1994291090
Application date： Apr. 02, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 深いシリコン酸化膜のトレンチを形成する。【構成】 シリコン酸化膜2の上にマスクとしてクロムあるいはクロム合金の膜3を用い、フルオロカーボン系のガスを用いた反応性イオン・エッチングあるいは反応性イオンビーム・エッチングを利用することによって、高選択比と異方性のエッチングができる。それによって、30μmより深い、シリコン酸化膜のトレンチを異方性に形成する。

Claim (excerpt)：

酸化シリコン膜にドライ・エッチングを行う方法において、(a)厚い酸化シリコン膜に、クロムまたはクロム合金を用いたエッチング・マスクのパターンを作製し、(b)フッ素含有ガスを用いた反応性エッチング技術を用いて、前記パターンを介して前記酸化シリコン膜をエッチングする、ことを特徴とするドライ・エッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 ,  G02B 6/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-114214
  
• 特開昭59-132132
  
• 特開平3-033126