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J-GLOBAL ID：200903013318980152

炭素質粉体の製造方法

Inventor： 高木 光治 ,  来嶋 茂 ,  川越 隆博 ,  倉地 育夫 ,  斎藤 翼
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992158814
Publication number (International publication number)：1993178603
Application date： May. 26, 1992
Publication date： Jul. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 残炭率が高く、しかも導電性に優れた炭素質粉体を粉砕工程や不融化工程を要することなく効率よく製造する。【構成】 ポリアニリン粉末を非酸化性雰囲気中で焼成炭化する。【効果】 原料ポリアニリン粉末のドーピングレベルを調節することにより、得られる炭素質粉体の残炭率、導電率を制御することができる。

Claim (excerpt)：

ポリアニリン粉末を非酸化性雰囲気で焼成炭化することを特徴とする炭素質粉体の製造方法。

IPC (2)：

C01B 31/02 101 ,  C08G 73/00 NTB