透明導電膜付ガスバリア性フィルムの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005202682
Publication number (International publication number)：2007023304
Application date： Jul. 12, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：

【課題】透明導電膜の有する内部応力を低減し、バリア層へのダメージを抑制し、高い導電性と透明性、更には高いガスバリア性を維持できる透明導電膜付ガスバリア性フィルムの製造方法と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。【解決手段】透明樹脂フィルム上に少なくとも1層以上のセラミック膜を有する透明ガスバリア性フィルム上へ透明導電膜を真空製膜法により製膜する際、該製膜時の圧力が0.5〜2.0Paであることを特徴とする透明導電膜付ガスバリア性フィルムの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

透明樹脂フィルムの上に少なくとも1層以上のセラミック膜を有する透明ガスバリア性フィルム上へ透明導電膜を真空製膜法により製膜する際、該製膜時の圧力が0.5〜2.0Paであることを特徴とする透明導電膜付ガスバリア性フィルムの製造方法。

IPC (12)：

C23C 14/08 , H01B 13/00 , C23C 14/34 , C23C 14/35 , C23C 14/32 , B32B 7/02 , B32B 18/00 , B32B 9/00 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H05B 33/02 , B32B 15/08

FI (14)：

C23C14/08 D , H01B13/00 503B , C23C14/08 K , C23C14/08 C , C23C14/34 D , C23C14/35 Z , C23C14/32 Z , B32B7/02 104 , B32B18/00 C , B32B9/00 A , H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/02 , B32B15/08 E

F-Term (95)：

3K007AB13 , 3K007AB18 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4F100AA33 , 4F100AB01E , 4F100AB33E , 4F100AD00B , 4F100AD00C , 4F100AD00D , 4F100AD00E , 4F100AH06 , 4F100AK01A , 4F100AK42 , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100BA10D , 4F100BA10E , 4F100BA13 , 4F100EH66 , 4F100EH662 , 4F100EJ17 , 4F100EJ172 , 4F100EJ58 , 4F100EJ582 , 4F100EJ59 , 4F100EJ592 , 4F100EJ60 , 4F100EJ602 , 4F100EJ61 , 4F100EJ612 , 4F100GB23 , 4F100GB41 , 4F100GB66 , 4F100JD02 , 4F100JD02B , 4F100JD02C , 4F100JD02D , 4F100JD02E , 4F100JD03A , 4F100JD03B , 4F100JD03C , 4F100JD03D , 4F100JD03E , 4F100JD04A , 4F100JD04B , 4F100JD04C , 4F100JD04D , 4F100JD04E , 4F100JG01 , 4F100JG01E , 4F100JM02B , 4F100JM02C , 4F100JM02D , 4F100JM02E , 4F100JN01 , 4F100JN01A , 4F100JN01B , 4F100JN01C , 4F100JN01D , 4F100JN01E , 4F100JN13E , 4F100JN28E , 4F100JN30E , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4F100YY00D , 4F100YY00E , 4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029BA45 , 4K029BA47 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BB01 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA04 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC32 , 4K029DC39 , 5G323BA02 , 5G323BB04 , 5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平2-251429号公報 (実施例)
有機EL素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-270552 Applicant：出光興産株式会社
特公昭53-12953号公報 (実施例)

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