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J-GLOBAL ID：200903013366659404

レーザを用いた表面処理方法

Inventor： 安藤 和徳 ,  金 祺和 ,  竹内 俊公 ,  大村 研二
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995335353
Publication number (International publication number)：1997180997
Application date： Dec. 22, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スループットの向上を図ることができるレーザを用いた表面処理方法を提供すること。【解決手段】 レーザを照射して表面層を改質するための表面処理方法において、レーザビームBによって表面7aを所要のピッチで所定の一定方向に沿って走査し所望の微細結晶状態の帯状領域M1 〜Mn と結晶性の良好でない帯状領域N1 〜Nn-1 とを交互に形成し、帯状領域N1 〜Nn-1 を高いエネルギーのレーザビームで順次照射する。レーザ光源からのレーザ光を複数に分割して所要の処理のための所要の適正強度の複数のレーザビームを得、これらにより同時処理を行う。レーザビームの長手方向が配線パターンのいずれかの長手方向と平行にならない相対位置関係で走査する。

Claim (excerpt)：

被処理部材の表面にレーザを照射して前記被処理部材の表面層を微細結晶構造に改質するための表面処理方法において、幅の狭い帯状のレーザビームによって前記表面を所要のピッチで所定の一定方向に沿って走査し所望の微細結晶状態の第1の帯状領域と結晶性の良好でない第2の帯状領域とを交互に複数形成する第1のステップと、前記第2の帯状領域を前記第1のステップにおいて用いられたレーザビームよりは高いエネルギーの帯状レーザビームで順次照射して前記第2の帯状領域の結晶状態を所望の微細結晶状態にする第2のステップとを有することを特徴とするレーザを用いた表面処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G