Pat
J-GLOBAL ID:200903013376709396
半導体素子、半導体装置、及び半導体素子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000367471
Publication number (International publication number):2002170963
Application date: Dec. 01, 2000
Publication date: Jun. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】 低損失化と低コスト化とを高水準に達成することができる半導体素子を提供する【解決手段】 半導体基体11の中層領域に形成されたn型半導体領域(ドリフト領域)17と、半導体基体11の他方の主面11B側に形成された凹部16の底面に露出し、且つn型半導体領域17に接合すると共に、このn型半導体領域17よりも高い不純物密度を有するn型半導体領域19と、半導体基体11の一方の主面11A側に露出し、且つn型半導体領域17に接合するp型半導体領域18と、p型半導体領域18の露出部分に形成された第1主電極層12と、n型半導体領域19の露出部分に形成された第2主電極層13とから構成されている。このため、素子の主動作領域の厚さを薄くできるため、低損失化を達成出来る。
Claim (excerpt):
半導体基体と、該半導体基体の一方の主面側に形成された該半導体基体よりも高不純物密度の第1主電極領域と、前記半導体基体の他方の主面側において、前記半導体基体からなる筒状の脚部を周辺部に残置するようにして、前記半導体基体の他方の主面側から前記一方の主面側に向かって形成された凹部と、該凹部の底部に露出した前記半導体基体の前記他方の主面側に、前記第1主電極領域に対向して形成された前記半導体基体よりも高不純物密度の第2主電極領域とからなることを特徴とする半導体素子。
IPC (11):
H01L 29/861
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/744
, H01L 29/74
, H01L 29/78 655
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/866
, H01L 21/329
FI (9):
H01L 29/78 655 A
, H01L 29/91 C
, H01L 29/72
, H01L 29/74 C
, H01L 29/74 M
, H01L 29/80 H
, H01L 29/90 D
, H01L 29/91 A
, H01L 29/91 F
F-Term (19):
5F003AP09
, 5F003BA06
, 5F003BA92
, 5F003BC01
, 5F003BC90
, 5F003BH18
, 5F003BM02
, 5F003BZ01
, 5F005AF02
, 5F005AH02
, 5F005BA02
, 5F005BB01
, 5F102FB01
, 5F102GB02
, 5F102GB04
, 5F102GD01
, 5F102GJ03
, 5F102GL03
, 5F102GQ01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-208065
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平1-183166
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高耐圧電力用半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-050745
Applicant:株式会社東芝
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