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J-GLOBAL ID：200903013382538226

成膜方法及び成膜装置

Inventor： 村岡 浩一 ,  伊藤 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997248292
Publication number (International publication number)：1999087341
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 平坦性や膜厚制御性等に優れた成膜を可能とする。【解決手段】 シリコンを含むガスを基板1表面に供給してシリコンを含む物質6を吸着させる工程と、窒素ラジカルを含むガスを基板表面に供給してシリコンと窒素とを反応させシリコン窒化膜5a、5bを形成する工程とを、それぞれ複数回交互に行う。シリコンを含む物質を吸着させる工程はシリコンと窒素との反応が飽和した後に行う。

Claim (excerpt)：

第1の元素を含むガスを試料表面に供給して少なくとも第1の元素を含む物質を試料表面に吸着させる工程と、この第1の元素を含む物質が吸着した試料表面に第2の元素を含むガスを供給して第1の元素と第2の元素とを反応させ第1の元素と第2の元素との反応物層を試料表面に形成する工程とをそれぞれ複数回交互に行い、かつ、前記第1の元素を含む物質を吸着させる工程は前記第1の元素と第2の元素との反応が飽和状態に達した後に行うことを特徴とする成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-196321
  
• 特開平1-143221
  
• 特開平4-196321
  
• 特開平1-143221