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J-GLOBAL ID：200903013385629141

半田バンプ付き半導体装置の半田バンプの製造方法

Inventor： 村田 正博
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995326055
Publication number (International publication number)：1997167772
Application date： Dec. 14, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は半田バンプ付き半導体装置の半田バンプの製造方法に関し、半田バンプを高さのばらつきを小さく製造することを課題とする。【解決手段】 ウェア40の下面41の半田メッキ層43をフラックスで覆い加熱して、予備的半田バンプ73を形成すると共に、凝固フラックス膜74を形成する。次いで、凝固フラックス膜74を、高さが高めの予備的半田バンプの頂部が研摩されるまで研摩し、高めの予備的半田バンプの頂部を除去する。次いで、予備的半田バンプを覆うようにフラックスを塗布し、加熱し、予備的半田バンプを再度溶解して、最終的な半田バンプを形成する。頂部を除去された予備的半田バンプに対応する最終的半田バンプの高さは、元の予備的半田バンプの高さより減る。これにより、最終的半田バンプの高さのばらつきは、予備的半田バンプ73の高さのばらつきより減るよう構成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の面に第1及び第2の高さを有する複数の半田バンプを予備的に形成し、半導体装置の面と平行に、第1の高さを有する半田バンプの頂部が除去されるまで研摩し、頂部が研摩されない該第2の高さを有する半田バンプと前記頂部が研摩されて除去された半田バンプが混在した状態を形成し、前記頂部が研摩されていない半田バンプ及び上記頂部が研摩された半田バンプを覆うようにフラックスを塗布し、加熱し、半田バンプを再度溶解して、最終的な半田バンプを形成し、フラックスを除去して、最終的に半田バンプを露出させてなる構成としたことを特徴とする半田バンプ付き半導体装置の半田バンプの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/304 321 Z ,  H01L 21/92 604 A