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J-GLOBAL ID：200903013404416529

半導体記憶装置

Inventor： 黒田 英明 ,  宮永 隆史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992185961
Publication number (International publication number)：1994005807
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 トランジスタの拡散層と半導体基板との間の接合リークを少なくして、メモリセルのデータ保持特性を向上させる。【構成】 フィールド酸化膜であるSiO2 膜14のうちで、メモリセルを構成するキャパシタ18に接続されているトランジスタ16の一方の拡散層17を囲むバーズビーク部が除去されている。このため、バーズビーク部とSi基板11との界面における応力集中部がなく、拡散層17を囲む部分の界面準位の密度が低い。従って、この部分における発生・再結合中心の密度も低く、発生・再結合中心を介した拡散層17とSi基板11との間の接合リークが少ない。

Claim (excerpt)：

トランジスタとキャパシタとでメモリセルが構成されている半導体記憶装置において、前記トランジスタの拡散層を囲んでいるフィールド酸化膜のうちで少なくともバーズビーク部が除去されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04