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J-GLOBAL ID：200903013425456229

固体撮像装置及びその製造方法

Inventor： 山根 淳二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993002962
Publication number (International publication number)：1994209100
Application date： Jan. 12, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 暗電流が低減され、且つ分光特性とスメアが改善された固体撮像装置を提供する。【構成】 シリコン基板1に電荷転送領域2,光電変換領域3等を形成し、転送電極6,遮光用Al膜9を形成した後、全面にPE-SiO2膜11,PE-SiN膜10を堆積させる。次に、熱処理を行った後、PE-SiN膜10を除去する。熱処理によりシリコン基板1のセンサ領域は水素化され暗電流が低減される。また、PE-SiO2膜11は屈折率が小さいため、分光特性及びスメアが改善される。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成されたセンサ領域上に、屈折率の小さい保護絶縁膜が積層され、且つ該センサ領域には水素が含有されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特公昭51-028929
  
• 特開昭63-044761
  
• 特開平3-200367
  
• 特開昭63-044760