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J-GLOBAL ID：200903013431855577

光半導体素子用サブマウント

Inventor：
石井 光男

About 石井 光男


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993111466
Publication number (International publication number)：1994326210
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 特に低熱特性に必要なJ/D組立の際、ダイボンドした半田がチップサイドに露出したジャンクションに接触する事を防止する。【構成】 サブマウント基体10の両面にバリヤ層7a,7bを形成し、さらにバリヤ層7a上に部分的にAuSn共晶半田層8を形成し、バリヤ層7b上に全面にAuSn共晶半田層9を設ける。【効果】 チップサイドにはみ出す半田量を十分抑える事ができ、ジャンクションへの半田ショートによる初期不良の低減及び環境試験に於いて半田による影響を殆ど受けることのない信頼性の高いレーザ素子が得られる。
Claim (excerpt)：
光半導体素子のチップを放熱用金属ブロックに接着する際に上記チップと金属ブロックとの間に介在させて用いられる光半導体素子用サブマウントにおいて、サブマウント基体と、上記サブマウント基体の両側に形成されたバリヤ層と、上記一方のバリヤ層表面に形成され、上記チップのサイズよりも小さい面積を有する共晶半田層と、上記他方のバリヤ層の表面全面に形成された共晶半田層とからなることを特徴とする光半導体素子用サブマウント。
IPC (4)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開平2-260671
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189213   Applicant：オムロン株式会社
  • 特開平4-283948

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