半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996137144
Publication number (International publication number)：1997321045
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】Cu配線の抵抗が増大し、信頼性が低下する。【解決手段】Si基板1上に設けられた第1絶縁膜2A上にバリア膜3A,3BにはさまれたCu膜4からなる積層構造の配線を形成した後、低圧チャンバー内で加熱しながら希釈したシランガス6にさらし、配線のうちの銅が露出した部分のみにCuシリサイド層7を選択的に形成する。次でその上層に第2絶縁膜2Bを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に順次設けられた第1導電膜と第2導電膜および前記銅膜の側面に設けられた銅珪素化合物層より構成される配線と、前記第1絶縁膜および前記配線の上に設けられた第2絶縁膜とを含む事を特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 21/88 M , H01L 21/28 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

膜形成用材料及び配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041408 Applicant：松下電器産業株式会社

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