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J-GLOBAL ID：200903013452190672
エッチング方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992222416
Publication number (International publication number)：1994342770
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 エッチングガスをプラズマ化し、エッチング対象物をこのプラズマに曝してエッチングを行うエッチング方法及び装置であって、サイドエッチが抑制され、エッチング形状の制御性が良好となり、しかもエッチングレートが高く、面均一性も向上し、低パーティクルでエッチング対象物への不純物の付着が抑制され、レジスト焼けも抑制或いは防止されるエッチング方法及び装置を提供する。【構成】 エッチングガスをプラズマ化し、エッチング対象膜を形成した基板8をこのプラズマに曝してエッチングを行うエッチング方法及び装置において、前記エッチングガスのプラズマ化を第1パルス変調及び該第1パルス変調より短い周期の第2パルス変調を重畳させた高周波電圧の印加にて行うエッチング方法及び装置。
Claim (excerpt)：
エッチングガスをプラズマ化し、エッチング対象物をこのプラズマに曝してエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチングガスのプラズマ化を第1パルス変調及び該第1パルス変調より短い周期の第2パルス変調を重畳させた高周波電圧の印加にて行うことを特徴とするエッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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