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J-GLOBAL ID：200903013458534799

シリコン単結晶ウエハの製造方法およびシリコン単結晶ウエハ

Inventor： 渡辺 正幸 ,  小山内 淳一 ,  小林 昭彦 ,  鹿島 一日兒 ,  藤森 洋行
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 木下 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001240312
Publication number (International publication number)：2003059932
Application date： Aug. 08, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはIG効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥(BMD)が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法により育成された窒素ドープシリコン単結晶から、シリコン単結晶ウエハを製造する際、BMDおよびOSFとが混在する領域により覆われたシリコン単結晶ウエハを、還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気中で、1100〜1300°Cで熱処理することにより、表面からの深さが少なくとも10μmの表層部には、グローン・イン結晶欠陥が存在せず、かつ、内部にはBMDが1×109/cm3以上形成されているシリコン単結晶ウエハを得る。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により育成された窒素ドープシリコン単結晶から、シリコン単結晶ウエハを製造する方法において、酸素析出バルク微小欠陥および酸化誘起積層欠陥とが混在する領域により覆われたシリコン単結晶ウエハを、還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気中で、1100〜1300°Cで熱処理することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/322 ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502

FI (4)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 H

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077PF51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコン単結晶の育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ並びにその窒素ドープ量の推定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-083882   Applicant：住友金属工業株式会社