熱伝導層を有する薄膜層型半導体構造体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000559589
Publication number (International publication number)：2002525839
Application date： Jul. 08, 1999
Publication date： Aug. 13, 2002
Summary：

【要約】本発明は、中間層3によって支持基板1から分離された半導体表面層2を備え、前記中間層3が、前記支持基板から前記半導体表面層を電気的に絶縁する多層構造を有する薄膜層型半導体構造体を提供する。前記中間層は、前記半導体表面層との間に良好な電気的界面特性を有し、かつ前記半導体表面層2から形成される1つまたは複数の電子デバイスの正常な動作を実現するために十分な熱伝導性を有する少なくとも一つの第1層を備えている。前記中間層は、前記第1層と前記支持基板との間に配置された低誘電率の第2絶縁層をさらに備えていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

中間層(3,13,23)によって支持基板(1,11,21)から分離された半導体表面層(2,12,22)を備え、前記中間層(3,13,23)が、前記支持基板から前記半導体表面層を電気的に絶縁する多層構造を有し、前記半導体表面層との間に良好な電気的界面特性を有し、かつ前記半導体表面層(2,12,22)から形成される1つまたは複数の電子デバイスの正常な動作を実現するために十分な熱伝導性を有する少なくとも1つの第1層を備えている薄膜層型半導体構造体において、前記中間層は、前記第1層と前記支持基板との間に配置された低誘電率の第2絶縁層をさらに備えていることを特徴とする半導体構造体。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/762

FI (2)：

H01L 27/12 B , H01L 21/76 D

F-Term (13)：

5F032AA04 , 5F032AA06 , 5F032AA07 , 5F032AA09 , 5F032AA45 , 5F032CA05 , 5F032CA18 , 5F032DA02 , 5F032DA07 , 5F032DA13 , 5F032DA53 , 5F032DA60 , 5F032DA71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-327021 Applicant：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
特表平5-503812
特開平2-058873

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