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J-GLOBAL ID：200903013464693912

半導体装置のチタニウム膜の形成方法

Inventor： 金 憲 度
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999179341
Publication number (International publication number)：2000031094
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置のチタニウム(Ti)膜の形成方法において、Ti膜の被覆性を改善して金属配線形成工程を安定化することによって半導体装置の信頼度及び歩留まりを向上させる。【解決手段】 コンタクトホールが形成されたウエハーの全体構造上部に、1010/cm3を越えない密度のプラズマを利用してスパッタ法により第1チタニウム膜12を蒸着する段階と、上記ウエハーにバイアスを印加する段階と、第1チタニウム膜12上に、上記バイアス電源を印加した状態で少なくとも1011/cm3以上の密度のプラズマを使用して第2チタニウム膜13を蒸着する段階とを含む。

Claim (excerpt)：

コンタクトホールを有する半導体装置において、コンタクトホールが形成されたウエハーの全体構造上部に、1010/cm3を越えない密度のプラズマを利用してスパッタ法により第1チタニウム膜を蒸着する段階と、上記ウエハーにバイアスを印加する段階と、該第1チタニウム膜上に、上記バイアス電源を印加した状態で少なくとも1011/cm3以上の密度のプラズマを使用して第2チタニウム膜を蒸着する段階とを含んでなることを特徴とする半導体装置のチタニウム膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/285 P ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/90 C