プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999258243
Publication number (International publication number)：2000150488
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】フッ素原子を含むガスプラズマを使用するプラズマ処理において、プラズマ処理速度の低下を防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前記プラズマ発生装置により塩素及びフッ素を含む処理ガスをプラズマ化するステップと、前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて酸化シリコン膜を有する試料をエッチング処理するステップと、前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するステップと、該リフォーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミングするステップとを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前記プラズマ発生装置により塩素及びフッ素を含む処理ガスをプラズマ化するステップと、前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて酸化シリコン膜を有する試料をエッチング処理するステップと、前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するステップと、該リフォーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミングするステップとを含む、ことを特徴とする酸化シリコン膜を有する試料のプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23C 16/44 , C23F 4/00 , H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/302 B , C23C 16/44 J , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体製造装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-271850 Applicant：株式会社東芝

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